НАУКА и ОБРАЗОВАНИЕ

Контакты:

IBM East Europe/Asia

Галина Данилина

Тел.: (495) 775-8800, 940-2000 #1771

 E-mail: Galina_Danilina@ru.ibm.com

    10 декабря 2007 г. – Корпорация IBM (NYSE: IBM) и ее партнеры по совместным разработкам – компании AMD, Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd., Freescale, Infineon и Samsung – сегодня представили инновационную стратегию, направленную на ускорение внедрения революционной полупроводниковой технологии, известной как "high-k/metal-gate" («изолирующий слой с высокой диэлектрической проницаемостью/металлический затвор»), в производственный процесс 32-нанометровых компьютерных микросхем следующего поколения. Эта технология предусматривает применение нового материала с великолепными изолирующими свойствами для важнейшего компонента полупроводникового чипа – изолирующего слоя в затворе полевого транзистора.

    Новая стратегия призвана облегчить и ускорить переход клиентов на технологию "high-k/metal-gate", что обеспечит им многочисленные преимущества, в том числе повышение производительности и уменьшение энергопотребления. Полупроводниковые компоненты, использующие эту технологию, найдут самое широкое применение – от микрочипов с низким энергопотреблением для беспроводных устройств и бытовых электронных приборов до высокопроизводительных процессоров для игровых приставок и мощных корпоративных серверов. Эта новая методология реализации технологии "high-k/metal-gate" станет доступна членам альянса IBM и их клиентам во второй половине 2009 года.

    29 января 2007 года IBM и ее партнеры по исследованиям (включая Sony и Toshiba) представили инновационную технологию "high-k/metal-gate" как основу для долгожданного улучшения характеристик транзистора – крошечного «переключателя», который служит основным «строительным блоком» практически всех современных микросхем. Применение нового материала с высокой диэлектрической проницаемостью при изготовлении затвора транзистора (выполняющего эту функцию «включения-выключения») во многом обусловило развитие 32-нанометрового полупроводникового техпроцесса, позволяющего создавать более миниатюрные, быстродействующие и энергосберегающие чипы.

    Использование IBM и ее партнерами по альянсу технологии "high-k/metal-gate" дало возможность уменьшить размер микросхемы почти наполовину по сравнению с техпроцессом предыдущего поколения и, при этом, улучшить ряд характеристик производительности. Новые чипы позволяют, в целом, экономить до 45% электроэнергии, что крайне важно для электронной промышленности. Эти улучшения будут способствовать повышению функциональности и эффективности при сокращении энергопотребления и продлении эксплуатационного цикла аккумуляторных батарей мобильных устройств. Что касается применения технологии "high-k/metal-gate" при производстве микропроцессоров, то в этой прикладной области, по результатам испытаний, проведенных на опытно-производственной площадке IBM в Ист Фишкилле (штат Нью-Йорк), достигнуто увеличение производительности до 30%.

    «IBM и ее партнеры демонстрируют инновационные подходы в полупроводниковом производстве, и их достижения, в частности, значительно упрощают нашим клиентам внедрение материала с высокой диэлектрической проницаемостью в свои производственные процессы, – говорит Гэри Пэттон (Gary Patton), вице-президент Центра исследований и разработок полупроводниковой техники (IBM Semiconductor Research and Development Center). – Успех этой передовой технологии является результатом использования коллективного инженерного таланта и огромного практического опыта шести членов нашего технологического альянса, а также активного участия научно-исследовательских организаций мирового уровня, таких, как центр нанотехнологий Albany NanoTech при колледже UAlbany NanoCollege (город Олбани, штат Нью-Йорк)».

    IBM и ее партнеры по альянсу разработали технологию производства интегральных микросхем с комплементарной структурой «металл-оксид-полупроводник» (КМОП), использующую изолирующий слой с высокой диэлектрической проницаемостью при изготовлении затвора транзистора ("high-k/metal-gate"), и продемонстрировали первый в отрасли чип статической оперативной памяти (SRAM) со сверхплотной упаковкой элементов и низким энергопотреблением, выполненный по 32-нанометровому технологическому процессу с размерами элементарной ячейки менее 0.15um2. Микросхемы SRAM являются ключевыми «строительными блоками» компьютерных процессоров и чипсетов, и служат прекрасным индикатором готовности технологии к промышленному применению. Уникальные характеристики "high-k"-материала позволяют снизить общее энергопотребление новой микросхемы на 45% по сравнению с чипами предыдущего поколения, что, в свою очередь, способствует увеличению эксплуатационного срока аккумуляторных батарей разнообразных портативных мобильных устройств, таких, как сотовые телефоны и карманные компьютеры.

    Кроме того, IBM и ее партнеры по альянсу стали применять этот инновационный материал с высокой диэлектрической проницаемостью в 32-нанометровом производственном процессе, основанном на высокопроизводительной технологии «кремний на изоляторе» (silicon-on-insulator, SOI). Великолепные изолирующие свойства "high-k"-материала, определяющие оптимальный показатель емкостного сопротивления между затвором и каналом транзистора, обеспечили рост его быстродействия более чем на 30% по сравнению с предыдущим поколением чипов, использующих технологию SOI. Применение технологии SOI способствует значительному улучшению производительности, что в сочетании с технологией "high-k/metal-gate" позволяет создавать высокоэффективные энергосберегающие микросхемы для персональных компьютеров и игровых приставок, а также мощных вычислительных систем корпоративного уровня.

    Сегодняшнее сообщение знаменует новейшее достижение в области исследований и разработок этого альянса производственных и технологических компаний, которые активно сотрудничают в создании более миниатюрного, производительного, экономически и энергетически эффективного поколения полупроводниковых продуктов.