Другие журналы
|
научное издание МГТУ им. Н.Э. БауманаНАУКА и ОБРАЗОВАНИЕИздатель ФГБОУ ВПО "МГТУ им. Н.Э. Баумана". Эл № ФС 77 - 48211. ISSN 1994-0408![]()
Моделирование диэлектрических характеристик композиционных материалов на основе метода асимптотического осреднения
# 01, январь 2013 DOI: 10.7463/0113.0531682
Файл статьи:
![]() УДК 539.8 Россия, МГТУ им. Н.Э. Баумана
1. Введение Проектирование композиционных материалов с заданными электромагнитными свойствами является важной технической проблемой. Данные материалы находят широкое применение в различных областях техники, в частности, используются в качестве современных пьезоэлементов, электроизоляционных конструкций [1, 2], радиопрозрачных и радиопоглощающих конструкций. Для математического моделирования характеристик композиционных материалов используюися различные приближенно-аналитические и численные методы. Наиболее перспективным является метод асимптотического осреднения (МАО) или «метод гомогенизации», основы которого разработаны в работах Э. Санчес-Паленсии [3], Бахвалова Н.С. [4], Победри Б.Е. [5] и других. Данный метод позволяет математически точно вычислять эффективные характеристики композитов с помощью решения специальных «локальных задач» на ячейках периодичности. Однако, аналитическое решение такого рода задач для композитов, обладающих сложной геометрической структурой, невозможно, а численное осложняется интегро-дифференциальной постановкой локальных задач с неклассическими краевыми условиями периодичности. Методика преобразования локальных задач к классическим краевым задачам с граничными условиями первого и второго рода предложена в работах [6-10]. В настоящей работе данная методика применяется для решения локальных задач электростатики, на основе которой расчитываются эффектиные тензоры диэлектической проницаемости композитов со сложными структурами армирования.
2. Метод асимптотического осреднения для задачи электростатики Рассмотрим композиционный материал, занимающий в пространстве R3область Vc поверхностью ∑. Рассматриваемая область V состоит из Nфаз:
где Для применения МАО введем предположение о том, что композиционный материал обладает периодической структурой, область ячейки периодичности (ЯП)
где
Векторы электической индукции и напряженности электрического поля «нулевого уровня» имеют вид
Подставив (2) и (3) в задачу (1), получим следующую систему уравнений в нулевом приближении:
здесь
3. Преобразование локальной задачи к задачам «классического типа» Решение задачи (4) будем искать в виде сумм
где
здесь
Вычислим напряженность через потенциал, используя (7):
Отсюда получим, что напряженность
где функции
Электрическую индукцию
где псевдоиндукции связаны с псевдонапряженностями линейными соотношениями
В силу линейности задачи псевдоиндукция будет удовлетворять соотношениям:
Граничные условия для функций
Также должны выполняться условия нормировки:
Так как < Из условия периодичности псевдопотенциала получаем условия для
Так как величина
т.е функции Из уравнений (8)-(12), (14) следует, что функции
Задача (15) в отличие от задачи (4) не содержат входных данных в соотношения Гаусса, а имеют входные данные – функции Далее предположим, что в ЯП
Поверхности контакта компонентов
Задачи (16) на 1/8 «ячейке периодичности» 4. Расчет эффективного тензора диэлектрической проницаемости композита После решения серии задач Lp для p=1, 2, 3 и нахождения псевдопотенциалов
где
В силу линейности задач Lp их решения
Следовательно, зная псевдоиндукции
Тогда, подставив (20) в (19), получаем осредненную задачу с эффективным тензором диэлектрической проницаемости
где эффективный тензор комплексных амплитуд диэлектрической проницаемости
5. Вариационная формулировка задач электростатики Lp Для произвольного объема
Поверхность
6. Метод конечных элементов для задач Lp Для решения вариационного уравнения (22) применим метод конечных элементов (МКЭ), согласно которому всю область
В каждом конечном элементе аппроксимируем псевдопотенциал
где
Производные от псевдопотенциала представим в виде координатного столбца – матрица операторов дифференцирования. С учетом введенных операторов, перепишем уравнение (23):
Вынося вариацию
где
где
7. Расчет для 3D ортогонально-армированного композиционного материала Решение глобальной СЛАУ (26) осуществлялось путем разделения комплексных переменных на действительную и мнимую части с последующим привлечением QMR методов. С помощью такого подхода были решены Lpзадачи для 3Dортогонально-армированного композита [6,10], число составляющих элементов которого N=4, где α = 1,2,3–волокна, α = 4 – матрица. Все волокна полагались одинаковыми и концентрация волкон по 3-м координатным направляниям также была одинакова. Такой композит вцелом является материалом с кубическим типом симметрии [13], и тензор эффективной диэлектической проницаемости В численных расчетах число конечных элементов при решении Lpзадач составляло 6343, а число степеней свободы – 1502. При численной реализации учитывалось, что армирующие композита могут состоять из различных материалов и иметь различные радиусы. Расчет действительной и мнимой частей электрического псевдопотенциала Модельные значения коэффициентов диэлектрической проницаемости удовлетворяют соотношениям:
Рис. 1. Распределение действительной части псевдопотенциала
Приближенно-аналитическое значение эффективного коэффициента диэлектрической проницаемости по методу Фойгта (линейная зависимость) с помощью следующих соотношений
По методу Рейса (обратно-линейная зависимость) данное значение ивычисляется следующим образом:
На рис. 3 изображена зависимость действительной части коэффициента диэлектрической проницаемости композита Результаты численных расчетов показывают, что значения
Рис. 2. Распределение мнимой части псевдопотенциала
В то же время сами соотношения (27)-(28) нельзя выбрать в качестве даже приближенных выражений для эффективного коэффициента диэлектрической проницаемости в виду того, что вилка Фойгта-Рейсса слишком широка. Различия между значениями
Рис. 3. Зависимость
Рис. 4. Зависимость
Таким образом, для расчета эффективных электрических характеристик композитов со сложными структурами армирования целесообразно приемнять метод асимптотического осреднения, рассмотренный в данной работе. Этот метод позволяется вычислять математически точные значения эффективных диэлектричских характеристик композиционных материалов. Возможные погрешности метода могут быть связаны только с погрешностями численного метогда расчета, которые достаточно малы (не более 1%) и могут быть еще уменьшены за счет выбора более мелких конечно-элементных сеток, а также с погрешностями реальной геометрической структуры волокон, которая может отличаться от идеальной формы, использованной в расчетах. Однако и эти погрешности могут быть снижены, за счет более точного учета геометрической формы волокон в численном расчете. Рис. 5. Зависимость
Заключение Предложена математическая модель для расчета эффективного тензора диэлектрической проницаемости композиционных материалов на основе метода асимптотического осреднения периодических структур. Для численного решения локальной задачи электростатики использован метод конечных элементов. Проведены тестовые расчеты эффективных диэлектрических характеристик 3Dортогонально-армированного композита. Сравнение результатов, полученных при численной реализации метода асимптотического осреднения и метода Фойгта-Рейсса, показало, что предложенная модель расчета обеспечивает высокую точность вычислений эффективных диэлектрических характеристик композиционных материалов со сложными структурами армирования. Данная математическая модель может быть применена для прогнозирования диэлектрических характеристик новых синтезируемых материалов. Поддержка Работа проведена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации по Соглашениям о предоставлении гранта в форме субсидий №14.B37.21.0448 и №14.132.21.1699 в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы.
Список литературы 1. Бычков И.В., Дубровских Д.В., Зотов И.С., Федий А.А. Исследование эффективной диэлектрической проницаемости композитного материала CaSO4∙2H2O - графит // Вестник Челябинского государственного университета. 2011. № 7 (222). Физика. Вып. 9. С. 7-15. 2. Най Дж. Физические свойства кристаллов : пер. с англ. М.: Мир, 1967. 385 с. 3. Санчес-Паленсия Э. Неоднородные среды и теория колебаний: пер. с англ. М.: Мир, 1984. 472 с. 4. Бахвалов Н.С., Панасенко Г.П. Осреднение процессов в периодических средах. М.: Наука,1984. 352 c. 5. Победря Б.Е. Механика композиционных материалов. М.: Изд-во МГУ, 1984. 336 с. 6. Димитриенко Ю.И. Кашкаров А.И. Расчет эффективных характеристик композитов с периодической структурой методом конечных элементов // Вестник МГТУ им. Н.Э.Баумана. Естественные науки. 2002. № 2. С. 95-108. 7. Димитриенко Ю.И., Соколов А.П. Разработка системы автоматизированного вычисления эффективных упругих характеристик композитов // Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Естественные науки. 2008. № 2. C. 57-67. Димитриенко Ю.И., Морозов А.Н., Соколов А.П., Ничеговский Е.С. Моделирование эффективных пьезоэлектроупругих свойств композиционных материалов // Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Естественные науки. 2010. № 3. С. 86-97. 9. Димитриенко Ю.И., Ничеговский Е.С. Численное моделирование магнитных свойств композиционных материалов // Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана. Сер. Естественные науки. 2010. № 1. С. 3-11. 10. Димитриенко Ю.И., Соколов А.П. Метод конечных элементов для решения локальных задач механики композиционных материалов. М.: Изд-во МГТУ им. Баумана, 2010. 67 с. 11. Шелухин В.В., Терентьев С.А. Гомогенизация уравнений Максвелла и дисперсия Максвелла-Вагнера // Доклады Академии Наук. 2009. Т. 424, № 3. С. 402-406. 12. Димитриенко Ю.И. Механика сплошной среды : учеб. пособие. В 4 т. Т. 2. Универсальные законы механики и электродинамики сплошной среды. М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э.Баумана, 2011. 560 с. 13. Димитриенко Ю.И. Тензорное исчисление. М.: Высшая школа, 2001. 576 с. Публикации с ключевыми словами: композиционные материалы, конечно-элементный анализ, метод многоуровневой гомогенизации, эффективные диэлектрические характеристики Публикации со словами: композиционные материалы, конечно-элементный анализ, метод многоуровневой гомогенизации, эффективные диэлектрические характеристики Смотри также:
Тематические рубрики: Поделиться:
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|