Другие журналы

Савельева Екатерина Олеговна

К вопросу о перспективности использования метода функций Грина для моделирования вольт-амперной характеристики резонансно-туннельного диода
Молодежный научно-технический вестник # 12, декабрь 2015
УДК: 621.382(075.8)
В статье рассмотрены проблемы прогнозирования надежности устройств наногетероструктурной электроники в рамках моделирования электрических характеристик полупроводниковых гетероструктур. Проанализированы основные подходы к моделированию вольт-амперной характеристики гетероструктуры и резонансно-туннельного диода. Рассмотрен подход, в основе которого лежит метод матриц переноса. Проанализирована целесообразность применения подхода на основе метода функций Грина.
 
ПОИСК
 
elibrary crossref ulrichsweb neicon rusycon
 
ЮБИЛЕИ
ФОТОРЕПОРТАЖИ
 
СОБЫТИЯ
 
НОВОСТНАЯ ЛЕНТА



Авторы
Пресс-релизы
Библиотека
Конференции
Выставки
О проекте
Rambler's Top100
Телефон: +7 (915) 336-07-65 (строго: среда; пятница c 11-00 до 17-00)
  RSS
© 2003-2019 «Наука и образование»
Перепечатка материалов журнала без согласования с редакцией запрещена
 Тел.: +7 (915) 336-07-65 (строго: среда; пятница c 11-00 до 17-00)