Благова Светлана Владиславовна

Рассмотрен литографический процесс формирования контактных окон по технологии с минимальной проектной нормой 0.25 мкм. Проведено исследование разброса линейных размеров, получаемых структур с различной плотностью заполнения площади кристалла СБИС, выполненное с помощью измерительной установки  NanoSEM 3D (CD-SEM). В результате построения и  анализа процессных окон сформулированы рекомендации по режимам экспонирования с целью получения контактных окон оптимальных размеров. На основе анализа режимов экспонирования  сформулированы рекомендации по использованию фигур коррекции в технологическом процессе формирования контактных и переходных окон.

Рассмотрены технические параметры и характеристики шаблонов, используемых при выполнении операции проекционной литографии. Проведено сравнение литографических возможностей двух шаблонов, различающихся толщиной маски хрома, выполненное с помощью измерительной установки  NanoSEM 3D (CD-SEM). Проведенные экспериментальные исследования и анализ полученных результатов измерений позволяют сделать вывод, что шаблоны с меньшей толщиной маскирующего покрытия также могут быть использованы при выполнении операции проекционной литографии.