Другие журналы

Андреев Д.В.

Исследование сенсоров радиационных излучений на основе мдп-структур
Молодежный научно-технический вестник # 12, декабрь 2012
УДК: 621.382
 Одним из перспективных методов исследования и регистрации радиационных излучений является использование сенсоров на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Обычно сенсоры радиационных излучений, активным элементом которых являются  МДП-структуры, основаны на анализе ионизационных процессов, протекающих в области пространственного заряда полупроводника [1].  Не менее перспективным способом регистрации радиационных воздействий является изучение ионизационных процессов, протекающих в диэлектрической пленке [2]. Применение этих явлений наряду с пробоем позволяет более широко использовать возможности МДП-структур и создать многофункциональный сенсор, сочетающий в себе достоинства полупроводниковых сенсоров космических излучений и тонкоплёночных пробойных счетчиков.
 
ПОИСК
 
elibrary crossref ulrichsweb neicon rusycon
 
ЮБИЛЕИ
ФОТОРЕПОРТАЖИ
 
СОБЫТИЯ
 
НОВОСТНАЯ ЛЕНТА



Авторы
Пресс-релизы
Библиотека
Конференции
Выставки
О проекте
Rambler's Top100
Телефон: +7 (915) 336-07-65 (строго: среда; пятница c 11-00 до 17-00)
  RSS
© 2003-2019 «Наука и образование»
Перепечатка материалов журнала без согласования с редакцией запрещена
 Тел.: +7 (915) 336-07-65 (строго: среда; пятница c 11-00 до 17-00)