Андреев Д.В.

 Одним из перспективных методов исследования и регистрации радиационных излучений является использование сенсоров на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Обычно сенсоры радиационных излучений, активным элементом которых являются  МДП-структуры, основаны на анализе ионизационных процессов, протекающих в области пространственного заряда полупроводника [1].  Не менее перспективным способом регистрации радиационных воздействий является изучение ионизационных процессов, протекающих в диэлектрической пленке [2]. Применение этих явлений наряду с пробоем позволяет более широко использовать возможности МДП-структур и создать многофункциональный сенсор, сочетающий в себе достоинства полупроводниковых сенсоров космических излучений и тонкоплёночных пробойных счетчиков.