Другие журналы
|
Иванов Юрий Александрович
К вопросу о повышении надежности смесительных AlAs/GaAs резонансно-туннельных диодов конструкторско-технологическими методами
Инженерное образование # 11, ноябрь 2013 DOI: 10.7463/1113.0637834 Разработана методика исследования изменения вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов под действием деградационных процессов в его структуре. Исследование деградации структуры резонансно-туннельных диодов на основе наноразмерных AlAs/GaAs гетероструктур проводилось при температуре 300 °C. Выявлено, что в данных условиях изменение вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов вызвано преимущественно деградацией омических контактов. Определена аналитическая зависимость контактного сопротивления AuGeNi омических контактов резонансно-туннельных диодов от времени и температуры.
Исследование термической деградации AuGeNi омических контактов резонансно-туннельных диодов на базе наноразмерных AlAs/GaAs гетероструктур
Инженерное образование # 09, сентябрь 2012 DOI: 10.7463/0912.0453636 Проведено исследование термической деградации AuGeNi омических контактов РТД. Предложена аналитическая зависимость контактного сопротивления AuGeNi омических контактов РТД от времени и температуры (действительна при температурах ≤ 300 °C). Она может быть использована для прогнозирования надежности РТД и радиоэлектронных устройств на его основе в заданных условиях эксплуатации.
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|