Иванов Юрий Александрович

Разработана методика исследования изменения вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов под действием деградационных процессов в его структуре. Исследование деградации структуры резонансно-туннельных диодов на основе наноразмерных AlAs/GaAs гетероструктур проводилось при температуре 300 °C. Выявлено, что в данных условиях изменение вольт-амперных характеристик резонансно-туннельных диодов вызвано преимущественно деградацией омических контактов. Определена аналитическая зависимость контактного сопротивления AuGeNi омических контактов резонансно-туннельных диодов от времени и температуры.

Проведено исследование термической деградации AuGeNi омических контактов РТД. Предложена аналитическая зависимость контактного сопротивления AuGeNi омических контактов РТД от времени и температуры (действительна при температурах ≤ 300 °C). Она может быть использована для прогнозирования надежности РТД и радиоэлектронных устройств на его основе в заданных условиях эксплуатации.