Другие журналы
|
Фефелов А П
77-30569/373951 Высокоэффективные источники накачки для импульсных полупроводниковых лазерных линеек
Инженерное образование # 04, апрель 2012 В настоящее время развитие лазерной техники определяется прогрессом в области лазерной диодной накачки. От источников питания лазерных диодов требуется повышение стабильности параметров выходных импульсов, отсутствие обратных выбросов тока в импульсе и стабилизации температуры диодных линеек.Решены задачи формирования импульсов тока с учетом взаимовлияния каналов и помехозащищенности. Разработана микропроцессорная схема управления для работы источника накачки в составе автоматизированного лазерного стенда. Разработана схема канала стабилизации температуры диодных линеек и алгоритм регулирования, благодаря чему удалось добиться устойчивой генерации лазера на частотах от 30 до 50 Гц при максимально возможной длительности импульса излучения. Разработанный многоканальный импульсно-периодический источник накачки лазерных линеек формирует импульсы тока с частотой до 50 Гц и длительностью (60-500) мкс. Рабочий ток лазерных диодов - до 250 А. Нестабильность тока от импульса к импульсу составляет не более 0,5 %. Набор реализованных защитных функций (аппаратных и программных) и модульная компоновка блока позволяют повысить надежность источника накачки. Источник накачки мобилен и работает от двух аккумуляторных батарей по 12 В и может быть использован для широкого круга задач в лазерной технике.Источник накачки применялся для проведения экспериментов с новыми типами квантронов лазеров с полупроводниковой накачкой, разработанных в НИИ РЭТ. Получен ряд уникальных результатов.
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||
|