Гладких А А

В работе рассмотрены технологические решения формирования межтранзисторной изоляции для субмикронных СБИС, модели для расчета результатов операции ХМП в стандартном STI- процессе, а также проведен анализ мелкощелевой изоляции ( STI ), с точки зрения моделирования операции ХМП, в которой планаризация завершается до достижения защитного слоя транзисторных областей.

Рассмотрены методы размещения dummy-структур на шаблонах топологических слоев СБИС, позволяющие минимизировать остаточный рельеф поверхности кристалла при создании многослойной металлизации, основанные как на моделировании операции химико-механической планаризации (ХМП) (MBDF), так и на использовании правил заполнения (RBDF). Приведен алгоритм расчета локальной плотности заполнения топологического слоя СБИС, используемой в методе заполнения топологии dummy-фигурами, базирующемся на моделировании операции ХМП.