Тиняков Юрий Николаевич

Рассматривается основной метод создания термически изолированных структур датчиков физических величин, изготавливаемых по МЭМС технологиям, электростатическая анодная посадка. Показано, что основной причиной малого процента выхода годных изготовления термически изолированных структур методом электростатической анодной посадки является неравномерность физико-химических свойств по всей поверхности полупроводниковых и соответствующих стеклянных пластин. Предложено усовершенствование метода анодной посадки, разработаны конструкции приспособлений для ее проведения. Изготовлены и опробованы предлагаемые способ и конструкции приспособлений. Получены результаты, подтверждающие возможность увеличения процента выхода годных при изготовлении термически изолированных структур датчиков физических величин методом электростатической анодной посадки.

Рассматриваются     подходы к проблеме температурной компенсации погрешностей измерительного канала датчика давления для космических аппаратов, работающего в жестких эксплуатационных условиях. Показано, что для коррекции, и соответственно, температурной компенсации выходного сигнала датчика давления характерны два способа: вспомогательных измерений температуры и образцовых сигналов. Разработаны и опробованы технические решения по созданию термически изолированных ячеек и электронной схемы компенсации температурной погрешности датчиков. Определены методы термокомпенсации дрейфа нуля и чувствительности тензорезистивных полупроводниковых датчиков давления. Получены значения температурных погрешностей, позволяющих отнести изготовленный измерительный канал согласно ГОСТ 22250-93 к классу точности 0,25.

Рассматриваются подходы к созданию элементов защиты информационно-телекоммуникационной аппаратуры при электромагнитном старте беспилотного космического аппарата (КА). Показано, что основным элементом микроэлектромеханического сенсорного элемента - ключа является балка с нагруженной центральной частью. Приводится теоретический расчет и таблица геометрических размеров сенсорных элементов для двух пороговых значений, достигаемых при электромагнитном пуске КА  – 2500 и 3000 ускорений свободного падения тела (g). Рассматриваются технологии изготовления микроэлектромеханических ключей и предлагается несколько способов их изготовления. Приводятся результаты экспериментальных исследований при статических и динамических перегрузках.

Рассмотрено применение метода химико-механического полирования для планаризации поверхности подложек в нано- и микросистемной технике. Предложена методика расчёта распределения величин износа по обрабатываемой поверхности при химико-механическом полировании. Приведены результаты расчёта распределения величин износа по обрабатываемой поверхности для некоторых режимов обработки подложек. Результаты исследования могут быть использованы при проектировании операций химико-механического полирования поверхности подложек в нано- и микросистемной технике.

Практически во всех отраслях производства применяются датчики давления. В России применяются устаревшие датчики контроля параметров технологических процессов, разработанные в восьмидесятых годах прошлого столетия. Для того что не отстать от научно-технического прогресса необходимо перейти к производству микроэлектронных механических датчиков давления. Проведены исследования конструкторский и технологических подходов при проектировании микроэлектронных механических датчиков давления ведущих зарубежных производителей, с целью оптимизации конструкций и технологии изготовления отечественных микроэлектронных механических датчиков давления.